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貼片陶瓷電容的由來(lái)和分類(lèi)

   來(lái)源:   發(fā)表日期:2021年12月15日    瀏覽次數:

  1、貼片陶瓷電容器的由來(lái)

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  1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容器。30年代末人們發(fā)現在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數成倍增長(cháng),因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容器。

  1940年前后人們發(fā)現了現在的貼片陶瓷電容器的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,開(kāi)始將陶瓷電容器使用于對既小型、精度要求又極高的軍事用電子設備當中。

  而陶瓷疊片電容器于1960年左右作為商品開(kāi)始開(kāi)發(fā)。到了1970年,隨著(zhù)混合IC、計算機、以及便攜電子設備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來(lái),成為電子設備中不可缺少的零部件?,F在的陶瓷介質(zhì)電容器的全部數量約占電容器市場(chǎng)的70%左右。

  貼片陶瓷介質(zhì)電容器的絕緣體材料主要使用陶瓷,其基本構造是將陶瓷和內部電極交相重疊。

  陶瓷材料有幾個(gè)種類(lèi),自從考慮電子產(chǎn)品無(wú)害化特別是無(wú)鉛化后,高介電系數的PB(鉛)退出陶瓷電容器領(lǐng)域,現在主要使用TiO2(二氧化鈦)、BaTiO3,CaZrO3(鋯酸鈣)等。和其它的電容器相比具有體積小、容量大、耐熱性好、適合批量生產(chǎn)、價(jià)格低等優(yōu)點(diǎn)。

  由于原材料豐富,結構簡(jiǎn)單,價(jià)格低廉,而且電容量范圍較寬(一般有幾個(gè)PF到上百μF),損耗較小,電容量溫度系數可根據要求在很大范圍內調整。

  陶瓷電容器品種繁多,外形尺寸相差甚大從0402(約1×0.5mm)封裝的貼片電容器到大型的功率陶瓷電容器。

  按使用的介質(zhì)材料特性可分為Ⅰ型、Ⅱ型和半導體陶瓷電容器;按無(wú)功功率大小可分為低功率、高功率陶瓷電容器;按工作電壓可分為低壓和高壓陶瓷電容器;按結構形狀可分為圓片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、疊片、獨石、塊狀、支柱式、穿心式等。

  二、貼片陶瓷電容器的分類(lèi)

  陶瓷電容器從介質(zhì)類(lèi)型主要可以分為兩類(lèi),即Ⅰ類(lèi)陶瓷電容器和Ⅱ類(lèi)陶瓷電容器。Ⅰ類(lèi)陶瓷電容器(ClassⅠceramiccapacitor),過(guò)去稱(chēng)高頻陶瓷電容器(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介質(zhì)損耗小、絕緣電阻高、介電常數隨溫度呈線(xiàn)性變化的陶瓷介質(zhì)制造的電容器。它特別適用于諧振回路,以及其它要求損耗小和電容量穩定的電路,或用于溫度補償。

 ?、蝾?lèi)陶瓷電容器(ClassⅡceramiccapacitor)過(guò)去稱(chēng)為為低頻陶瓷電容器(Lowfrequencycermiccapacitor),指用鐵電陶瓷作介質(zhì)的電容器,因此也稱(chēng)鐵電陶瓷電容器。這類(lèi)電容器的比電容大,電容量隨溫度呈非線(xiàn)性變化,損耗較大,常在電子設備中用于旁路、耦合或用于其它對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中。

 ?、耦?lèi)貼片陶瓷電容器

  按美國電工協(xié)會(huì )(EIA)標準為C0G(是數字0,不是字母O,有些文獻筆誤為COG)或NP0(是數字0,不是字母O,有些文獻筆誤為NPO)以及我國標準的CC系列等型號的陶瓷介質(zhì)(溫度系數為0±30PPM/℃)。

  這種介質(zhì)極其穩定,溫度系數極低,而且不會(huì )出現老化現象,損耗因數不受電壓、頻率、溫度和時(shí)間的影響,介電系數可以達到400,介電強度相對高。

  這種介質(zhì)非常適用于高頻(特別是工業(yè)高頻感應加熱的高頻功率振蕩、高頻無(wú)線(xiàn)發(fā)射等應用的高頻功率電容器)、超高頻和對電容量、穩定性有嚴格要求定時(shí)、振蕩電路的工作環(huán)境。

  這種介質(zhì)電容器唯一的缺點(diǎn)是電容量不能做得很大(由于介電系數相對小),通常1206表面貼裝C0G介質(zhì)電容器的電容量從0.5PF~0.01μF。

 ?、蝾?lèi)貼片陶瓷電容器

 ?、蝾?lèi)的穩定級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會(huì )(EIA)標準的X7R、X5R以及我國標準的CT系列等型號的陶瓷介質(zhì)(溫度系數為±15.0%)。

  這種介質(zhì)的介電系數隨溫度變化較大,不適用于定時(shí)、振蕩等對溫度系數要求高的場(chǎng)合,但由于其介電系數可以做得很大(可以達到1200),因而電容量可以做得比較大,適用于對工作環(huán)境溫度要求較高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和濾波。

  通常1206的SMD封裝的電容量可以達到10μF或在再高一些;

  II類(lèi)的可用級陶瓷介質(zhì)材料如美國電工協(xié)會(huì )(EIA)標準的Z5U、Y5V以及我國標準的CT系列的低檔產(chǎn)品型號等陶瓷介質(zhì)(溫度系數為Z5U的+22%,-56%和Y5V的+22%,-82%)。

  這種介質(zhì)的介電系數隨溫度變化較大,不適用于定時(shí)、振蕩等對溫度系數要求高的場(chǎng)合,但由于其介電系數可以做得很大(可以達到1000~12000),因而電容量可以做得比更大,適用于一般工作環(huán)境溫度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和濾波。

  通常1206表面貼裝Z5U、Y5V介質(zhì)電容器量甚至可以達到100μF,在某種意義上是取代鉭電解電容器的有力競爭對手。
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