自碳化硅MOS管被用于Model3牽引電驅動(dòng)以來(lái)，全世界對碳化硅的討論并沒(méi)有停止，還推動(dòng)了碳化硅MOS管在充電樁和新能源汽車(chē)上的應用，從而提高充電速度和充電里程。

　　現在，碳化硅MOS可以提供750v的典型電壓范圍，該公司希望將以前僅限于新能源汽車(chē)、宇宙飛船和先進(jìn)工業(yè)控制的技術(shù)引入消費者的充電頭。近年來(lái)，氮化鎵以其高效率、體積小、高密度快充而受到廣泛關(guān)注，也為第三代半導體在消費市場(chǎng)的應用敲響了號角。

　　碳化硅MOS管，也作為第三代半導體，從未出現在消費電子產(chǎn)品中，原因有三

　　1、成本高

　　2、其驅動(dòng)電壓高于常規硅器件，與主流PWM IC兼容性差;一般工業(yè)控制采用碳化硅MOS管需要增加一個(gè)柵驅動(dòng)

　　3、在快速開(kāi)關(guān)過(guò)程中，一些碳化硅器件存在嚴重的電磁干擾問(wèn)題。為了將碳化硅MOS管應用到消費市場(chǎng)，必須首先解決以上三個(gè)問(wèn)題。

　　碳化硅MOS管首先對PWM IC常用的柵極驅動(dòng)電壓進(jìn)行了改進(jìn)和設計，將柵極驅動(dòng)電壓降低到12v，可以與現有PWM IC常用的柵極驅動(dòng)電壓相匹配。碳化硅MOS管可以使用類(lèi)似于硅結構的柵極驅動(dòng)方案來(lái)推動(dòng)，極大地簡(jiǎn)化了用戶(hù)設計和開(kāi)發(fā)的難度和時(shí)間。

　　在成本方面，碳化硅MOS管在產(chǎn)品設計和制造成本方面進(jìn)行了全面優(yōu)化，使其價(jià)格不再遙不可及。

　　對于65WPD快速充電解決方案，客戶(hù)在設備上的成本與碳化硅MOS管GaN器件相差不大。由于相對簡(jiǎn)單的調試、驅動(dòng)和EMI處理，整體BOM可能會(huì )進(jìn)一步減少。