今天因為最近國產(chǎn)氮化硅企業(yè)也迎來(lái)了一波新的融資熱潮，半導體行業(yè)大動(dòng)作頻頻不斷，那我們就來(lái)聊聊半導體快恢復二極管，它過(guò)熱失效是因為什么導致的。

　　過(guò)熱失效是指快恢復二極管工作時(shí)造成的功率消耗增加，超過(guò)了器件所允許的最高結溫 Tjm，造成器件的熱擊穿。過(guò)熱破壞與裝置的工作溫度有關(guān)，一般采用本征溫度 Tint來(lái)預測器件在溫度上升時(shí)的破壞機制。當溫度升高時(shí)，載流子濃度 ni (T)等于襯底摻雜濃度 ND的溫度，隨著(zhù)溫度的升高，載體濃度呈指數級增加，Tint與摻雜濃度有關(guān)，而普通的高壓設備 Tint要遠低于低壓裝置。因為材料、工藝等因素的影響，器件 Tjm一般比 Tint小得多。

　　因為實(shí)際器件并不在熱平衡狀態(tài)下工作，因此也需要考慮器件工作方式與溫度的關(guān)系。例如，在逆變器中，通過(guò)電流傳導所產(chǎn)生的功率消耗，截止狀態(tài)是由漏電電流引起的，而在逆向恢復過(guò)程中由高反向電壓所產(chǎn)生的功耗，都會(huì )使器件的工作溫度升高，并在溫度和電流之間引起正向反饋，最終發(fā)生熱擊穿。因此，熱擊穿發(fā)生的條件是，熱產(chǎn)生的功率密度大于由器件封裝系統確定的耗散功率密度，為防止設備的熱失效，一般將其工作溫度控制在 Tjm以下。

　　如果器件開(kāi)始局部熔化那就表明快恢復二極管發(fā)生過(guò)熱失效了，若局部溫度過(guò)高，發(fā)生在點(diǎn)狀區域內，還會(huì )引起管芯出現裂紋。當快速恢復二極管工作頻率較高時(shí)，在斷態(tài)與通態(tài)間高頻轉換將產(chǎn)生大量的功率消耗，器件的過(guò)熱失效形態(tài)可能有所不同，但隨著(zhù)溫度的升高，最先開(kāi)始喪失阻斷能力，幾乎所有平面端子將在邊緣被擊穿。所以，損傷點(diǎn)通常位于設備的邊緣，或者至少在其邊緣上。

　　上述就是關(guān)于快恢復二極管過(guò)熱失效的原理，想要了解更多二三極管、Mos管等半導體產(chǎn)品選型、規格書(shū)資料。