場(chǎng)效應管是在三極管的基礎上而開(kāi)發(fā)出來(lái)的。三極管通過(guò)電流的大小控制輸出，輸入要消耗功率。場(chǎng)效應管是通過(guò)輸入電壓控制輸出，不消耗功率。場(chǎng)效應管和三極管的區別是電壓和電流控制，但這都是相對的。電壓控制的也需要電流，電流控制的也需要電壓，只是相對要小而已。就其性能而言，場(chǎng)效應管要明顯優(yōu)于普通三極管，不管是頻率還是散熱要求，只要電路設計合理，采用場(chǎng)效應管會(huì )明顯提升整體性能。

　　1、三極管是雙極型管子，即管子工作時(shí)內部由空穴和自由電子兩種載流子參與。場(chǎng)效應管是單極型管子，即管子工作時(shí)要么只有空穴，要么只有自由電子參與導電，只有一種載流子;

　　2、三極管屬于電流控制器件，有輸入電流才會(huì )有輸出電流;場(chǎng)效應管屬于電壓控制器件，沒(méi)有輸入電流也會(huì )有輸出電流;

　　3、三極管輸入阻抗小，場(chǎng)效應管輸入阻抗大;

　　4、有些場(chǎng)效應管源極和漏極可以互換，三極管集電極和發(fā)射極不可以互換;

　　5、場(chǎng)效應管的頻率特性不如三極管;

　　6、場(chǎng)效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級;

　　7、如果希望信號源電流小應該選用場(chǎng)效應管，反之則選用三極管更為合適。

　　場(chǎng)效應管是場(chǎng)效應晶體管(Field Effect Transistor，FET)的簡(jiǎn)稱(chēng)。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優(yōu)點(diǎn)，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件，工作時(shí)，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱(chēng)為雙極型晶體管;而場(chǎng)效應管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流)，工作時(shí)，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。場(chǎng)效應管和三極管一樣都能實(shí)現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。在某些特殊應用方面，場(chǎng)效應管優(yōu)于三極管，是三極管無(wú)法替代的，三極管與場(chǎng)效應管區別見(jiàn)下表。

　　場(chǎng)效應管是電壓控制元件。而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場(chǎng)效應管。而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。場(chǎng)效應管靠多子導電，管中運動(dòng)的只是一種極性的載流子;三極管既用多子，又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環(huán)境變化較強烈的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應管比較合適。場(chǎng)效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場(chǎng)合。場(chǎng)效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。

　　1、普通三極管參與導電的，既有多數載流子，又有少數載流子，故稱(chēng)為雙極型三極管;而在場(chǎng)效應管中只是多子參與導電，故又稱(chēng)為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，所以場(chǎng)效應管比三極管的溫度穩定性好、抗輻射能力強、噪聲系數很小。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場(chǎng)效應管。

　　2、三極管是電流控制器件，通過(guò)控制基極電流到達控制輸出電流的目的。因此，基極總有一定的電流，故三極管的輸人電阻較低;場(chǎng)效應管是電壓控制器件，其輸出電流決定于柵源極之間的電壓，柵極基本上不取電流，因此，它的輸入電阻很高，可達109～1014Ω。高輸入電阻是場(chǎng)效應管的突出優(yōu)點(diǎn)。

　　3、場(chǎng)效應管的漏極和源極可以互換(某些)，耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負，靈活性比三極管強。但要注意，分立的場(chǎng)效應管，有時(shí)已經(jīng)將襯底和源極在管內短接，源極和漏極就不能互換使用了。

　　4、場(chǎng)效應管和三極管都可以用于放大或作可控開(kāi)關(guān)。但場(chǎng)效應管還可以作為壓控電阻使用，可以在微電流、低電壓條件下工作，具有功耗低，熱穩定性好，容易解決散熱問(wèn)題，工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn)，且制作工藝簡(jiǎn)單，易于集成化生產(chǎn)，因此在目前的大規模、超大規模集成電路中，MOS管占主要地位。

　　5、MOS管具有很低的級間反饋電容，一般為5—10pF，而三極管的集電結電容一般為20pF左右。

　　6、場(chǎng)效應管組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數。

　　7、由于MOS觀(guān)的柵源極之間的絕緣層很薄，極間電容很小，而柵源極之間電阻又很大，帶電物體靠近柵極時(shí)，柵極上感應少量電荷產(chǎn)生很高的電壓，就很難放掉，以至于柵源極之間的絕緣層擊穿，造成 性損壞。因此管子存放時(shí)，應使柵極與源極短接，避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時(shí)，電烙鐵外殼要良好接地。

　　8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化;JFET是利用PN結反向電壓對耗盡層厚度的控制，來(lái)改變導電溝道的寬窄，從而控制漏極電流的大小;MOSEFET是利用柵源電壓的大小，來(lái)改變半導體表面感生電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。

　　9、場(chǎng)效應管的噪聲系數很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場(chǎng)效應管。

　　10、三極管導通電阻大，場(chǎng)效應管導通電阻小，只有幾百毫歐姆，在現在的用電器件上，一般都用場(chǎng)效應管做開(kāi)關(guān)來(lái)用，他的效率是比較高的。

　　11、場(chǎng)效應管G極必須有一個(gè)對地的放電電阻，不然上電就燒，而三極管基極不需要

　　12、場(chǎng)效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。

　　一般說(shuō)來(lái)，雙極性三極管不能直接代替MOS管，這是因為它們的控制特性不一MOS管是電壓控制的器件，而雙極性三極管是電流控制的器件。場(chǎng)效應管的控制電路是電壓型的，雙極性三極管不能直接代換場(chǎng)效應管的，原驅動(dòng)MOS管的電路由于驅動(dòng)電流太小，不足于驅動(dòng)雙極性三極。要想用原電路驅動(dòng)雙極性三極管，必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置?；谶@個(gè)思想，在雙極性三極管之前加裝電流放大器，把電壓驅動(dòng)改為了電流驅動(dòng)，即可代換成功。